型号:IRFB4110GPBF | 类别:FET - 单 | 制造商:International Rectifier |
封装:TO-220-3 | 描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB |
系列 | HEXFET® |
制造商 | International Rectifier |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 120A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 4.5 毫欧 @ 75A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 210nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 9620pF @ 50V |
功率_最大 | 370W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
供应商
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市众诚发电子有限公司 | 张0755-83231869 |
深圳市欧和宁电子有限公司 | 李小姐 0755-29275935 |
上海金庆电子科技京城市场部 | 陈小姐 付先生086-021-51872165/51872561 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司 | 李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801 |
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